[发明专利]具有DRAM高速缓存的非易失性物理存储器在审
| 申请号： | 201880078333.2 | 申请日： | 2018-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN111433749A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | F·A·韦尔;J·E·林斯塔特;H·克里斯托弗 | 申请（专利权）人： | 拉姆伯斯公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02;G06F12/0802;G06F12/0871;G06F12/0891;G06F12/0873 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 混合易失性/非易失性存储器模块采用相对快速、耐用并且昂贵的动态随机存取存储器(DRAM)高速缓存来存储来自更大量相对较慢并且廉价的非易失性存储器(NVM)的数据的子集。模块控制器对DRAM高速缓存的访问权限进行优先级排序以获得提高的速度性能并且将NVM的编程周期最小化。数据首先被写入DRAM高速缓存，在DRAM高速缓存中，可以在没有NVM 110的帮助下访问(写入和读取)数据。仅当从DRAM高速缓存中逐出数据以为附加数据腾出空间时，数据被写入NVM。通过使用不被用于数据的高速缓存行位，使NVM地址与物理地址相关的映射表被分布在DRAM高速缓存中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 dram 高速缓存 非易失性 物理 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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