[发明专利]应变平衡的半导体结构在审
| 申请号： | 201880073421.3 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN111492464A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 安德鲁·克拉克;罗德尼·佩尔策尔;安德鲁·约翰森;安德鲁·马丁·乔尔;艾丹·约翰·戴利;亚当·克里斯托弗·简尔 | 申请（专利权）人： | IQE公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨海荣;曲盛 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述了生长层状结构的体系和方法。该层状结构包含：具有第一晶格常数的第一锗衬底层；具有第二晶格常数且在所述第一锗衬底层上外延生长的第二层，其中所述第二层具有第一成分和第二成分的复合物，并且具有在所述第一成分和所述第二成分之间的第一比例；具有第三晶格常数且在所述第二层上外延生长的第三层，其中所述第三层具有第三成分和第四成分的复合物，并且具有在所述第三成分和所述第四成分之间的第二比例，其中所述第一比例和所述第二比例被选择为使得第一晶格常数在第二晶格常数和第三晶格常数之间。 | ||
| 搜索关键词： | 应变 平衡 半导体 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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