[发明专利]耐腐蚀性及绝缘特性优秀的阳极氧化铝或铝合金构件的制造方法及经表面处理的半导体装置在审
| 申请号： | 201880072917.9 | 申请日： | 2018-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN111344836A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 刘贤喆;郑彩钟;高贤哲 | 申请（专利权）人： | KOMICO有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/288;H01L21/02;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 习瑞恒;李盛泉 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及在铝或铝合金构件表面形成耐腐蚀性及绝缘特性优秀的阳极氧化膜的方法及形成有以该方法制造的阳极氧化膜的铝或铝合金构件，更详细而言，涉及一种无阳极氧化涂层内部缺陷地形成高硬度的氧化膜且耐腐蚀性及绝缘特性优秀的阳极氧化膜的形成方法及涂覆有以该方法制造的阳极氧化膜的半导体或显示器制造装置用内构件。 | ||
| 搜索关键词： | 腐蚀性 绝缘 特性 优秀 阳极 氧化铝 铝合金 构件 制造 方法 表面 处理 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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