[发明专利]二次电池及二次电池的制造方法在审

专利信息
申请号: 201880072846.2 申请日: 2018-11-16
公开(公告)号: CN111328433A 公开(公告)日: 2020-06-23
发明(设计)人: 三上真弓;门马洋平;栗城和贵;成田和平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01M10/052 分类号: H01M10/052;H01M4/505;H01M4/525;H01M10/0562
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 贾成功
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在全固态二次电池中,当活性物质的体积由于充放电而变化时,有时难以维持导电路径。在全固态二次电池中使用在充电状态和放电状态间的体积变化很小的正极活性物质。例如,与现有的正极活性物质相比,在放电状态时具有层状岩盐型结晶结构且在充电深度为0.8左右的充电状态时具有类似于氯化镉型结晶结构的结晶结构的正极活性物质通过充放电的体积及结晶结构变化小。
搜索关键词: 二次 电池 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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