[发明专利]碳化硅单晶的制造方法有效
| 申请号： | 201880071163.5 | 申请日： | 2018-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN111315923B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 熊谷和人;梅崎智典 | 申请（专利权）人： | 中央硝子株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/04;C30B19/12;H01L21/208 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在基于TSSG法的4H‑SiC单晶的培育中，无论有无掺杂均得到防止异种多型的混入、且具有良好形态学的4H‑SiC单晶。本发明人等在TSSG法的SiC单晶制造法中对离角给培育晶体产生的影响进行了深入研究，结果发现：使离角为60～68°的情况下，在进行4H‑SiC单晶培育时不易混入异种多型，此时，通过利用回熔法进行晶种表面的平滑化后进行晶体培育，从而可以得到具有良好形态学的培育晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中央硝子株式会社，未经中央硝子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880071163.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
