[发明专利]用于认知器件的高电阻读出FET有效
| 申请号： | 201880068555.6 | 申请日： | 2018-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN111247641B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | E.莱奥班邓格 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括形成在晶体管结构中的源极区和漏极区。沟道区设置在源极区和漏极区之间。在沟道区上形成包覆层，该包覆层包括半导体材料。在包覆层上形成栅极结构的栅极电介质。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 认知 器件 电阻 读出 fet | ||
【主权项】：
暂无信息
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