[发明专利]在高反射膜堆叠上的高吸收膜层的光学测量系统与方法有效
| 申请号： | 201880064327.1 | 申请日： | 2018-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN111183509B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | C·L·伊加图亚;S·克里许南 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘丽楠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文描述了用于以改进的测量灵敏度来对高吸收膜(例如，高K介电膜)执行基于光学的膜厚度测量的设备和方法。在高反射膜堆叠的顶部上制造高吸收膜层。高反射膜堆叠包含一组或多组名义上相同的多层不同的光学对比材料。高反射膜堆叠在特定的波长范围内引起光学共振。高吸收膜层和高反射膜堆叠的界面处的高反射率提高了被测光强度和测量灵敏度。选择高反射膜堆叠的不同材料层的厚度和光学色散以在期望的波长范围内引起光学共振。选择期望的波长范围以将被测量的高吸收膜的吸收最小化。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 堆叠 吸收 光学 测量 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
