[发明专利]包含负电容材料的MIM电容器在审
| 申请号： | 201880064259.9 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN111164750A | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 陆叶;鲍军静;杨斌 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L49/02;H01L27/08 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 电容器可以包括形成第一电容器板的第一导电层，形成第二电容器板的第二导电层以及在第一导电层上的第一绝缘材料。第一绝缘材料可以包括正电容材料。电容器还可以包括第二绝缘材料，该第二绝缘材料被设置在第一绝缘材料之上并且在第一绝缘材料与第二导电层之间。第二绝缘材料可以包括负电容铁电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 电容 材料 mim 电容器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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