[发明专利]用于晶片间膜厚度匹配的通过随室堆积量变化调制沉积循环数量的厚度补偿在审
| 申请号： | 201880059891.4 | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN111133554A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 理查德·菲利普斯;克洛伊·巴尔达赛罗尼;尼山斯·曼朱纳特 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/285;H01L21/67;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于执行原子层沉积的方法和装置。方法可以包括：确定当前在沉积室内部的内部区域上的沉积材料堆积量，其中所述沉积材料堆积量随批次衬底的处理过程改变；将所确定的所述沉积材料堆积量应用至下列两者之间的关系：达到目标沉积厚度所需的ALD循环数量与代表沉积材料堆积量的变量，其中在已知当前在所述沉积室内部的所述内部区域上的所述沉积材料堆积量的情况下，所述应用返回补偿的ALD循环数量以产生所述目标沉积厚度；以及在所述批次中的一个或多个衬底上执行所述补偿的ALD循环数量。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶片 厚度 匹配 通过 堆积 变化 调制 沉积 循环 数量 补偿 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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