[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序在审
| 申请号： | 201880055326.0 | 申请日： | 2018-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN111066124A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 小川有人;清野笃郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;C23C16/34;C23C16/455;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金成哲;郑毅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 能够减少金属膜的成膜障碍因素。依次反复执行如下各工序而在所述基板上形成实质上不含硅原子的金属氮化膜，所述各工序为：第一工序，具有向基板同时供给含金属气体、含有硅和氢且不含卤素的还原气体的时机，并至少使供给所述还原气体期间的所述处理室内的压力成为130Pa以上且小于3990Pa的范围内的值；第二工序，将所述处理室内残留的所述含金属气体和所述还原气体除去；第三工序，向所述基板供给含氮气体；以及第四工序，将所述处理室内残留的所述含氮气体除去。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 处理 程序 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
