[发明专利]功率半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201880054762.6 | 申请日： | 2018-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN111052584B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 久保木誉;河原敬二;金野雄志 | 申请（专利权）人： | 日立安斯泰莫株式会社 |
| 主分类号： | H02M7/48 | 分类号： | H02M7/48;H01L23/28;H01L23/29;H01L23/48;H01L25/07;H01L25/18;H10B80/00 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 肖华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题在于抑制功率半导体装置的散热性能的降低并提高生产率。本发明的功率半导体装置的制造方法涉及的功率半导体装置具备：导电构件，其具有第1表面以及设置在该第1表面的相反侧的第2表面；以及功率半导体元件，其经由接合材料与所述导电构件连接，该功率半导体装置的制造方法包括：第1工序，以如下方式冲压该导体构件：按压所述第1表面的一部分并保留与该第1表面齐平的部分而形成凹部，在所述第2表面形成凸部；第2工序，将所述功率半导体元件配置在所述凸部的顶面，且配置成与所述第1表面的所述凹部以及未形成该凹部的部分相对，并经由所述接合材料连接该凸部与所述功率半导体元件；以及第3工序，所述至少在所述凹部中填充密封材料。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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