[发明专利]半导体器件、电子设备和制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201880054726.X | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN111052324A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 江尻洋一 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | [问题]提供一种半导体器件、一种电子设备和一种用于制造半导体器件的方法，其中，不管栅电极的形状如何，由RTN引起的影响都减小。[解决方案]一种半导体器件，其设置有：基板，其具有元件区域和元件分离区域，所述元件区域包括源极区和漏极区，其中，在源极区和漏极区之间存在沟道区，所述元件分离区域相对于与设置源极区、沟道区和漏极区的方向正交的方向至少设置在两侧；栅极绝缘膜，其至少从元件分离区域的一侧到另一侧设置在基板的元件区域上；以及栅电极，其设置在栅极绝缘膜上。所述栅极绝缘膜包括杂质。包括元件区域和元件分离区域之间的边界的边界区中的杂质浓度不同于栅极绝缘膜的中心区中的杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电子设备 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司，未经索尼半导体解决方案公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880054726.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
