[发明专利]包含杂富勒烯的p型半导体膜和电子设备有效
| 申请号： | 201880054454.3 | 申请日： | 2018-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN111052429B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 松泽伸行;笹子胜;中顺一 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H10K85/20 | 分类号： | H10K85/20;C01B32/156;C01B32/90;C01B32/991;H01L29/786;H10K85/30;H10K71/13;H10K10/46 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种包含空穴迁移率更充分高的杂富勒烯的p型半导体膜。p型半导体膜包含将构成富勒烯的碳原子之中的n+r个(n和r均为正的奇数)碳原子用n个硼原子和r个氮原子取代而得的杂富勒烯。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 杂富勒烯 半导体 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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