[发明专利]具有梯形JFET、底栅及镇流漂移的集成电路、LDMOS和制造方法在审
| 申请号： | 201880053545.5 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN110998842A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | J·蔡 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8232 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 所描述的示例包括LDMOS晶体管(101)和集成电路(100)，其具有栅极(130、132、134)、注入衬底(102)中以在栅极的一部分下方提供沟道区的体区(108)、与沟道区相邻的源极(136)、与栅极的第一侧横向间隔开的漏极(138)、包括第一高掺杂漂移区部分(112)的漂移区(110)、在第一高掺杂漂移区部分(112)上方的低掺杂间隙漂移区(113)、以及在间隙漂移区(113)上方的第二高掺杂区部分(114)。隔离结构(116)延伸穿过第二高掺杂区部分(114)进入间隙漂移区部分(113)，其中第一端靠近漏极区(138)并且第二端在栅极电介质层(130)的下方。体区(108)包括与隔离结构(116)的第二端横向间隔开的锥形侧，以限定梯形JFET区(150)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 梯形 jfet 漂移 集成电路 ldmos 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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