[发明专利]碳浓度测定方法有效
| 申请号： | 201880053331.8 | 申请日： | 2018-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN111033708B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 木村明浩 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;C30B29/06;G01N21/64 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明为一种碳浓度测定方法，其特征在于，按照FZ单晶的原料种类，制作并准备表示通过PL法测得的测定值与碳浓度的关系的标准曲线，选择与测定用半导体试样的原料为相同种类的原料的标准曲线，使用该选择的标准曲线，由所述测定用半导体试样的通过PL法测得的测定值求出碳浓度。由此，提供一种在基于光致发光(PL)法的半导体试样的碳浓度的测定中，即使原料的种类不同，也能够正确地测定碳浓度的碳浓度测定方法，所述半导体试样由通过浮区(FZ)法制备的硅单晶(FZ单晶)形成。 | ||
| 搜索关键词： | 浓度 测定 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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