[发明专利]成膜方法在审
| 申请号： | 201880052555.7 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110997973A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 赤松泰彦;高桥律雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人： | 齐永红;秦岩 |
| 地址： | 日本神奈川*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种成膜方法，其在以包含金属元素和半金属元素中的至少一种作为构成元素的氧化物或者氮化物作为靶时，不采用RF溅射方法，可高产量地形成氧化物膜和氮化物膜。以包含金属元素和半金属元素中的至少一种作为构成元素的氧化物或者氮化物作为靶，在真空气氛中溅射该靶并在被成膜物表面形成具有高电阻值的氧化物膜或者氮化物膜。在同一平面内并列设置多块具有同等组成的上述靶，向该并列设置的靶中成对的靶之间施加规定频率的交流电力，通过将各靶交替切换为阳极电极、阴极电极，在靶彼此间产生等离子体，对成为阴极电极的靶进行溅射。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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