[发明专利]银纳米线的制造方法以及银纳米线、银纳米线墨及透明导电膜在审
| 申请号： | 201880051095.6 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN111032256A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 佐藤王高 | 申请（专利权）人： | 同和电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B22F9/24 | 分类号： | B22F9/24;B22F1/00;H01B1/00;H01B1/22;H01B5/00;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张智慧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 课题：在用醇溶剂还原法合成细的银纳米线时，稳定地生成特别是平均长度长、平均长径比大的线。解决手段：银纳米线的制造方法，其具有在溶解有银化合物、有机保护剂的醇溶剂中使银还原析出为线状的工序，其特征在于，使用具有乙烯基吡咯烷酮结构单元的聚合物作为所述有机保护剂，设为使有机酸酯以0.1～20.0mmol/L的浓度溶解于所述醇溶剂中的状态，在该液体中进行所述还原析出。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 制造 方法 以及 透明 导电 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同和电子科技有限公司，未经同和电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880051095.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
