[发明专利]电离辐射的像素化检测器中的深度校正在审
| 申请号： | 201880050935.7 | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN110998368A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 马修·维尔 | 申请（专利权）人： | 英国研究与创新组织 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 董越 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及电离辐射的光谱传感器，以及使用专用集成电路来检测以下两者：像素阳极信号中指示与该像素相互作用的电离辐射的正特征，和指示在相邻或相近像素中相互作用的电离辐射的负特征。为此，可以在每个ASIC像素电路中提供正峰值保持电路和负峰值保持电路两者。 | ||
| 搜索关键词： | 电离辐射 像素 检测器 中的 深度 校正 | ||
【主权项】：
暂无信息
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