[发明专利]用于高压处理腔室的气体输送系统有效
| 申请号： | 201880045796.9 | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN111066132B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 阿迪卜·汗;梁奇伟;苏坦·马立克;黄逹信;斯里尼瓦斯·D·内曼尼 | 申请（专利权）人： | 微材料有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;吴启超 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种高压处理系统，其包括第一腔室、第二腔室、前级管线、真空处理系统、阀组件、气体输送系统、排气线与容纳壳，该第二腔室与该第一腔室相邻，该前级管线将气体自该第二腔室中移除，该真空处理系统经配置降低该第二腔室内的压力，该阀组件将该第一腔室内的压力与该第二腔室内的压力隔离，该气体输送系统经配置将气体引入该第一腔室中并将该第一腔室内的压力增加到至少10大气压，该排气线将气体自该第一腔室中移除，该容纳壳围绕该气体输送系统的一部分和该排气线，以将从该气体输送系统的该部分和该排气线泄漏的气体转移到该前级管线。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高压 处理 气体 输送 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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