[发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂下层膜、抗蚀剂图案的形成方法及半导体装置的制造方法

摘要

一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含(A)下述式(1)所示的化合物、和(B)下述式(2‑1)或下述式(2‑2)所示的交联性化合物。(在式(1)中，R1各自独立地为碳原子数1～30的2价基团，R2～R7各自独立地为碳原子数1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数6～10的芳基、碳原子数2～10的烯基、硫醇基或羟基，R5的至少1个为羟基或硫醇基，m2、m3和m6各自独立地为整数0～9，m4和m7各自独立地为整数0～8，m5为整数1～9，n为整数0～4，p2～p7各自独立地为整数0～2。)(在式(2‑1)和式(2‑2)中，Q1为单键或m12价的有机基，R12和R15各自独立地为碳原子数2～10的烷基或具有碳原子数1～10的烷氧基的碳原子数2～10的烷基，R13和R16各自独立地为氢原子或甲基，R14和R17各自独立地为碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基。n12为整数1～3，n13为整数2～5，n14为整数0～3，n15为整数0～3，它们具有3≤(n12+n13+n14+n15)≤6的关系。n16为整数1～3，n17为整数1～4，n18为整数0～3，n19为整数0～3，它们具有2≤(n16+n17+n18+n19)≤5的关系。m12为整数2～10。)