[发明专利]单光子雪崩二极管和用于操作单光子雪崩二极管的方法有效
| 申请号： | 201880042775.1 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN111684610B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·范·纽文霍夫;沃德·范·德·坦佩;马尔滕·奎克;哥宾纳·叶加纳森 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/02;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L27/144 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及单光子雪崩二极管(SPAD)检测器，包括：半导体衬底(1)，其具有体区域(10)；在半导体衬底的体区域处的至少一个SPAD(2)，SPAD具有倍增结区域(20)；以及操作电路(3)，被配置为生成用于将光生载流子从半导体衬底的体区域传输到SPAD的倍增结区域的电传输场。本公开还涉及用于操作SPAD的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 光子 雪崩 二极管 用于 操作 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司，未经索尼半导体解决方案公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880042775.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于自动驾驶的自反向车道的相互避开算法
- 下一篇：燃料液体填充方法和润滑剂
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
