[发明专利]光电记忆器件、光电记忆读出器件及相机模组

摘要

一种光电记忆器件(100)，包括光电二极管(10)及横向整流器(20)；该光电二极管(10)包括半导体异质结(11)、第一阳极(12)及第一阴极(13)，该半导体异质结(11)包括具有第一带隙的沟道层(111)、具有第二带隙的阻拦层(112)及形成于该沟道层(111)与该阻拦层(112)之间的二维电子气(113)，阻拦层(112)在沟道层(111)上形成，第一阳极(12)在阻拦层(112)上形成，第一阴极(13)在沟道层(111)上形成且位于沟道层(111)的一侧，第一阴极(13)的内侧与二维电子气(113)及阻拦层(112)连接；横向整流器(20)包括第二阳极(14)及第二阴极(15)，第二阴极(15)在沟道层(111)上形成且位于与第一阴极(13)相对的一侧，第二阴极(15)的内侧与阻拦层(112)连接，该第二阳极(14)分别形成于该第一阳极(12)的一端、该第二阴极(15)以及该第一阳极(12)的该端与该第二阴极(15)之间的阻拦层(112)上；第一带隙小于第二带隙。该方案可记忆光照行为。

主权项

一种基于半导体异质结的光电记忆器件，其特征在于，所述光电记忆器件包括光电二极管及横向整流器；所述光电二极管包括半导体异质结、第一阳极及第一阴极，所述半导体异质结包括具有第一带隙的沟道层、具有第二带隙的阻拦层及形成于所述沟道层与所述阻拦层之间的接触界面处的二维电子气，所述阻拦层在所述沟道层上形成，所述第一阳极在所述阻拦层上形成，所述第一阴极在所述沟道层上形成且位于所述沟道层的一侧，所述第一阴极的内侧与所述二维电子气及所述阻拦层连接；所述横向整流器包括第二阳极及第二阴极，所述第二阴极在所述沟道层上形成且位于与所述第一阴极相对的一侧，所述第二阴极的内侧与所述阻拦层连接，所述第二阳极分别形成于所述第一阳极的一端、所述第二阴极以及所述第一阳极的该端与所述第二阴极之间的阻拦层上；其中，所述第一带隙小于所述第二带隙，所述沟道层和所述阻拦层的材质均为半导体，所述沟道层与所述阻拦层之间的接触界面中靠近所述第二阴极的预设区域不包括所述二维电子气，所述接触界面中除所述预设区域以外的区域包括所述二维电子气。/n