[发明专利]红外多光谱成像装置及方法在审
申请号: | 201880037340.8 | 申请日: | 2018-04-06 |
公开(公告)号: | CN110914992A | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | A·比尔埃特;G·文森特;R·海达尔;F·帕尔多;J-L·佩卢阿德 | 申请(专利权)人: | 法国宇航院;国家科学研究中心 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B5/20 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈珊 |
地址: | 法国帕*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 根据一个方面,本发明涉及一种红外多光谱成像装置(20),其适于检测至少一个第一和一个第二检测波长。其包括检测矩阵阵列(23),包括形成给定尺寸图像场的一组预设尺寸基本检测器(23i);和具有给定开口数量(N)和给定焦距(F)的成像光学器件(22),该数量和焦距适于在图像场的每个点处形成覆盖一组至少并置的两个基本检测器的焦点。该装置还包括金属电介质导模共振基本滤光器矩阵阵列(24),该矩阵阵列以小于光学器件(22)的焦深的距离设置在检测矩阵阵列(23)前方,基本滤光器尺寸选择为使得在图像场的每个点处形成的每个基本焦点覆盖至少两个基本滤光器;且基本滤光器针对以等于所述检测波长中的两个的两个不同中心波长为中心的光谱带中的带通透射优化。 | ||
搜索关键词: | 红外 光谱 成像 装置 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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