[发明专利]用于具有集成处理器的DRAM的行锤效应校正逻辑模块

摘要

本发明涉及一种存储设备，该存储设备包括一个或更多个存储体(126)，每个存储体包括多个存储器行，该存储设备还包括：用于检测行锤效应的触发的逻辑模块(123)，其被配置成针对每个存储体监视由外部存储器控制器和存储设备的一个或更多个内部处理器同时发出的激活命令，以便相应地触发刷新操作。本发明还涉及一种用于实现这样的设备的方法。

主权项

1.一种存储设备(120)，包括一个或更多个存储体(126)，每个存储体(126)包括多个DRAM存储器行，所述存储设备(120)还包括：/n外部访问端口(121)，其被配置成使得外部存储器控制器(111)能够激活并且然后访问每个存储体(126)的存储器行；/n一个或更多内部处理器(122)，其能够激活并且然后访问每个存储体(126)的存储器行，所述存储设备(120)的特征在于，所述存储设备(120)包括：/n用于检测行锤效应的触发的逻辑模块(123)，其被配置成：针对每个存储体来监视由所述外部存储器控制器(111)和/或由一个或更多个内部处理器(122)发出的激活命令，所述用于检测行锤效应的触发的逻辑模块(123)包括存储如下的存储器：/n-一个或更多个表，其针对每个存储体的行子集中的每一行而指示基于针对该行的激活命令的数量的计数值，其中，与所述一个或更多个表中的计数值相关联的所述行子集由所述用于检测行锤效应的触发的逻辑模块根据所述计数值来动态地修改，以便基于对每个存储体的每一行的激活命令的检测来指示最频繁激活的行；/n-附加计数值，其指示能够针对不属于所述行子集的任何行的激活命令的最大数量；并且/n其中，所述用于检测行锤效应的触发的逻辑模块被配置成：将所述计数值中的每一个与阈值水平进行比较，以便识别所述行子集中的一个或更多个行并且触发用于刷新与每个所识别的行相邻的一个或更多个行的操作；/n用于发送预防性刷新的逻辑模块(124)，其被配置成：通过发出取代由所述外部存储器控制器产生的定期刷新请求的刷新请求从而延迟所述定期刷新请求中的一个或更多个，来实现每个所识别的行的相邻行中的一个或更多个行的刷新操作。/n