[发明专利]具有轴向可变侧壁锥度的孔的含二氧化硅基材及其形成方法有效
| 申请号： | 201880034479.7 | 申请日： | 2018-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN110678977B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | R·E·达尔伯格;黄甜;金宇辉;G·A·皮切;D·O·里基茨 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/15 | 分类号： | H01L23/15;H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐鑫;项丹 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 揭示了包含具有窄腰的孔的含二氧化硅基材以及相关的装置和方法。在一个实施方式中，制品包括含二氧化硅基材，所述含二氧化硅基材包含大于或等于85摩尔％二氧化硅、第一表面、与第一表面相对的第二表面以及从第一表面朝向第二表面延伸穿过含二氧化硅基材的孔。孔包括：第一表面处小于或等于100μm的第一直径，第二表面处直径小于或等于100μm的第二直径，以及第一表面与第二表面之间的孔腰。孔腰具有小于第一直径和第二直径的腰直径，使得腰直径与第一直径和第二直径之比分别小于或等于75％。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 轴向 可变 侧壁 锥度 二氧化硅 基材 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对基材进行加工的方法，所述基材包含二氧化硅、第一表面和与第一表面相对的第二表面，所述方法包括：/n采用激光束，形成穿过基材从第一表面到第二表面的破坏轨迹，其中，沿着破坏轨迹的基材改性水平以从第一表面开始朝向基材块体的第一方向减小，以及基材改性水平以从第二表面开始朝向基材块体的第二方向减小，使得破坏轨迹包括：/n靠近第一表面的第一高度改性段；/n靠近第二表面的第二高度改性段；和/n布置在第一高度改性段与第二高度改性段之间的最小改性段；以及/n采用蚀刻溶液来蚀刻基材以形成孔，所述孔包括：第一表面处的第一直径，第二表面处的第二直径，以及在第一表面与第二表面之间的具有腰直径的孔腰，其中，腰直径小于第一直径且小于第二直径。/n
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