[发明专利]具有集成准直结构的光子芯片有效
| 申请号： | 201880032025.6 | 申请日： | 2018-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN110637246B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | S·梅内佐 | 申请（专利权）人： | 法国原子能源和替代能源委员会 |
| 主分类号： | G02B6/34 | 分类号： | G02B6/34;G02B6/42;G02B6/12;G02B6/43;G02B6/30 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 杨阳;林蕾 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及在光子芯片的输入/输出处形成光束，并涉及对耦合到该芯片的光进行光谱展宽。光子芯片(1)包括支撑在衬底(10)上的光波导层(12)。该芯片包括由硅制成的光波导结构(121)和耦合表面光栅(122)。光子芯片具有在面向耦合表面光栅(122)的一侧的正面(F1)和在面向衬底(10)的一侧的背面(F2)。反射式准直结构(16)集成在背面(F2)中以修改入射光束的模式尺寸。耦合表面光栅(122)设计成接收来自光波导结构(121)的光并形成定向到反射式准直结构(15)的光束。本发明还涉及用于制造这种芯片的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 集成 结构 光子 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种光子芯片(1、2)，所述光子芯片包括由衬底(10)支撑的导光层(12)，所述导光层包括与表面耦合阵列(122)光学耦合的导光结构(121)，所述光子芯片具有在所述表面耦合阵列一侧的正面(F1)、在所述衬底(10)一侧的背面(F2)，并且包括准直结构(16)，所述准直结构集成在所述背面(F2)的层级上，用于增加从所述表面耦合阵列入射到所述结构上的光束的模式尺寸，所述表面耦合阵列(122)配置成接收来自所述导光结构(121)的光/传输去往所述导光结构(121)的光，以及形成朝向集成在所述背面的层级处的所述准直结构(15、16)的光/接收来自所述准直结构(15、16)的光，其特征在于，所述准直结构(16)是适于将所入射的光束朝向所述正面反射的反射式结构。/n
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