[发明专利]依据光学检验结果进行计量导引检验样品成形有效
| 申请号： | 201880029393.5 | 申请日： | 2018-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN110582842B | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | K·沙赫;A·J·克罗斯;A·马尼 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01Q90/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘丽楠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在利用扫描电子显微镜进行检验或再检测期间可使用来自计量工具的信息。在场内对晶片的计量测量进行内插及/或外推，这形成经修改计量数据。使所述经修改计量数据与来自晶片的检验测量的缺陷属性相关联。基于所述缺陷属性及所述经修改计量数据而产生晶片再检测取样计划。在使用所述扫描电子显微镜对晶片进行再检测期间可使用所述晶片再检测取样计划。 | ||
| 搜索关键词： | 依据 光学 检验 结果 进行 计量 导引 样品 成形 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其包括：/n在控制器处接收计量测量及检验测量，其中所述计量测量及检验测量是一或多个晶片的计量测量及检验测量；/n使用所述控制器在晶片的场内对所述计量测量进行内插及/或外推，借此形成经修改计量数据；/n使用所述控制器使来自所述检验测量的缺陷属性与所述经修改计量数据相关联；及/n使用所述控制器基于所述缺陷属性及所述经修改计量数据而产生晶片再检测取样计划。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于科磊股份有限公司，未经科磊股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880029393.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
