[发明专利]节能的高速缓存存储器使用有效
| 申请号： | 201880028903.7 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN110574014B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 克里斯多佛·J·菲尼克斯 | 申请（专利权）人： | 谷歌有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F12/0888 | 分类号： | G06F12/0888;G06F12/0811 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 周亚荣;邓聪惠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了实现节能的高速缓存存储器使用的技术和装置。使用所描述的技术和装置，可以将使用例如DRAM构造的主存储器置于诸如自刷新模式的低功率模式中更长的时间段。分层存储器系统包括以可操作的方式耦合在较高级别的高速缓存存储器和主存储器之间的补充高速缓存存储器。可以响应于选择性地激活补充高速缓存存储器而将主存储器置于自刷新模式。可以用比较高级别的高速缓存存储器小的高度关联的或完全关联的高速缓存存储器来实施补充高速缓存存储器。因此，补充高速缓存存储器可以处理由于过多的存储块被映射到单个高速缓存行而引起的较高级别的高速缓存存储器的那些高速缓存未中。以这种方式，可以将主存储器的DRAM实施方式保持在自刷新模式中更长的时间段。 | ||
| 搜索关键词： | 节能 高速缓存 存储器 使用 | ||
【主权项】：
1.一种电子设备，所述电子设备包括：/n在第一层次级别处的第一高速缓存存储器；/n在第二层次级别处的补充高速缓存存储器，所述补充高速缓存存储器通信地耦合到所述第一高速缓存存储器，并且被配置为尝试处理所述第一高速缓存存储器的高速缓存未中，所述第二层次级别低于所述第一层次级别；/n在第三层次级别处的主存储器，所述主存储器通信地耦合到所述第一高速缓存存储器和所述补充高速缓存存储器，所述第三层次级别低于所述第二层次级别；以及/n控制电路，所述控制电路耦合到所述补充高速缓存存储器和所述主存储器，所述控制电路被配置为引起两个或更多个功能存储器状态之间的转换，所述两个或更多个功能存储器状态包括：/n第一功能存储器状态，其中，所述补充高速缓存存储器处于非活动操作模式，并且所述主存储器处于常规功率模式；以及/n第二功能存储器状态，其中，所述补充高速缓存存储器处于活动操作模式，并且所述主存储器处于低功率模式。/n
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