[发明专利]高速光感测设备II在审
申请号: | 201880027480.7 | 申请日: | 2018-02-28 |
公开(公告)号: | CN110870070A | 公开(公告)日: | 2020-03-06 |
发明(设计)人: | 那允中;梁哲夫;郑斯璘;陈书履;朱冠祯;林崇致;刘汉鼎 | 申请(专利权)人: | 奥特逻科公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01C3/02;G01S17/10;H01L31/10;H04N5/369 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 李兰;孙志湧 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种光学设备,包含:半导体基板;由所述半导体基板支撑的第一光吸收区,所述第一光吸收区包含锗并被配置成吸收光子并从所吸收的光子生成光载流子;第一层,由所述第一光吸收区和所述半导体基板的至少一部分支撑,所述第一层不同于所述第一光吸收区;由第一控制信号控制的一个或多个第一开关,所述一个或多个第一开关被配置成基于所述第一控制信号收集光载流子的至少一部分;以及由第二控制信号控制的一个或多个第二开关,所述一个或多个第二开关被配置成基于所述第二控制信号收集光载流子的至少一部分,其中,所述第二控制信号不同于所述第一控制信号。 | ||
搜索关键词: | 高速 光感测 设备 ii | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥特逻科公司,未经奥特逻科公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201880027480.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的