[发明专利]半导体激光二极管和用于制造半导体激光二极管的方法有效
| 申请号： | 201880026456.1 | 申请日： | 2018-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN110537303B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 艾尔弗雷德·莱尔;塞巴斯蒂安·特格尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/343;H01S5/223;H01S5/0225;H01S5/028;H01S5/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;丁永凡 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提出一种半导体激光二极管(100)，其具有：通过外延法制造的半导体层序列(2)，其具有至少一个有源层(3)，其中在所述半导体层序列(2)的至少一个表面区域(20)上设置有含镓的钝化层(10)。此外，提出一种用于制造半导体激光二极管(100)的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光二极管 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光二极管(100)，所述半导体激光二极管具有：/n-通过外延法制造的半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有至少一个有源层(3)，/n-在所述半导体层序列(2)的至少一个表面区域(20)上具有含镓的钝化层(10)。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧司朗光电半导体有限公司，未经欧司朗光电半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880026456.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
