[发明专利]硅晶片的金属污染分析方法和硅晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201880025413.1 | 申请日： | 2018-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN110494734B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 水野泰辅 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张桂霞;杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供硅晶片的金属污染分析方法，该分析方法包括：使分析对象的硅晶片的表面与包含氟化氢气体和硝酸气体的蚀刻气体接触，由此将该硅晶片的表层区域蚀刻；使上述硅晶片的通过上述蚀刻而暴露的表面与从包含盐酸和硝酸的混合酸中产生的气体接触；将与从上述混合酸中产生的气体接触之后的硅晶片加热；使上述加热后的硅晶片的通过上述蚀刻而暴露的表面与回收液接触；以及分析与上述硅晶片的通过上述蚀刻而暴露的表面接触之后的回收液中的金属成分。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 金属 污染 分析 方法 制造 | ||
【主权项】：
1.硅晶片的金属污染分析方法，所述分析方法包括：/n使分析对象的硅晶片的表面与包含氟化氢气体和硝酸气体的蚀刻气体接触，由此将该硅晶片的表层区域蚀刻；/n使上述硅晶片的通过上述蚀刻而暴露的表面与从包含盐酸和硝酸的混合酸中产生的气体接触；/n将与从上述混合酸中产生的气体接触之后的硅晶片加热；/n使上述加热后的硅晶片的通过上述蚀刻而暴露的表面与回收液接触；以及/n分析与上述硅晶片的通过上述蚀刻而暴露的表面接触之后的回收液中的金属成分。/n
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