[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201880025305.4 | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN110546832B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 吉川兼司;根岸将人;铃木正人;吉野达郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01L21/301 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李双亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体器件(12)的制造方法具备：在晶片(11)的主面(11a)的第一区域(15)形成多个半导体器件(12)的工序；在主面(11a)的与第一区域(15)不同的第二区域(16)形成多个切开起点部(20a‑20g)的工序；以及从多个切开起点部(20a‑20g)中的相对难以切开的切开起点部(20d)起按顺序以多个切开起点部(20a‑20g)为起点切开晶片(11)的工序。形成多个切开起点部(20a‑20g)的工序包括：通过对第二区域(16)的一部分进行刻蚀而形成多个第一槽(20a‑20g)。因此，能够使半导体器件的出产率和制造效率提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其中，/n所述半导体器件的制造方法具备在晶片的主面的第一区域形成多个半导体器件的工序，所述多个半导体器件沿着第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向排列，/n所述半导体器件的制造方法还具备在所述主面的与所述第一区域不同的第二区域形成多个切开起点部的工序，所述多个切开起点部沿着所述第二方向配置，所述多个切开起点部具有彼此不同的切开难度，形成所述多个切开起点部的工序包括：通过对所述第二区域的一部分进行刻蚀而形成多个第一槽，所述多个第一槽分别沿着所述第一方向延伸，/n所述半导体器件的制造方法还具备从所述多个切开起点部中的、相对难以切开的切开起点部起按顺序以所述多个切开起点部为起点切开所述晶片的工序。/n
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