[发明专利]三维半导体制造在审
| 申请号： | 201880023525.3 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN110800089A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | G·N·尼尔森 | 申请（专利权）人： | 尼尔森科学有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 33239 余姚德盛专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 周积德 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文描述了与通过激光器控制半导体的电化学蚀刻有关的各种技术，所述激光器发射具有低于半导体的带隙能量的能量的光。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 电化学蚀刻 激光器发射 激光器控制 带隙能量 | ||
【主权项】：
1.用于半导体蚀刻的系统(100)，包括：/n半导体(108)；/n激光器(104)，所述激光器的照射能量低于半导体的带隙能量；以及/n计算设备(106)，包括：/n处理器(136)；以及/n存储器(138)，包括当由所述处理器执行时使所述处理器执行包括以下的动作的指令：/n响应于接收半导体中的蚀刻位置的指示，基于物理模型输出预测，所述蚀刻位置是期望执行半导体的蚀刻的位置，该预测包括半导体中的照射位置，其中所述预测表示在照射位置产生的空穴预期会迁移到所述蚀刻位置，所述物理模型基于以下至少之一：/n半导体中的电荷载流子扩散；/n进入半导体的感应电场；或者/n流过半导体的电流；以及/n控制激光器的输出以使所述激光器照射半导体中的所述照射位置，以在半导体中的照射位置处产生空穴。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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