[发明专利]利用激光的间接加热方法有效
| 申请号： | 201880023415.7 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN110476229B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 柳正道 | 申请（专利权）人： | RNR实验室公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/268;H01L21/762;H10B41/41;H10B12/00 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明一实施方式的利用激光的间接加热方法包括：第一步骤，以相邻的方式配置含有金属的第一物质结构体和含有矿物质的第二物质结构体；以及第二步骤，通过向上述第一物质结构体照射激光来直接加热上述第一物质结构体，从而间接加热与上述第一物质结构体相邻的上述第二物质结构体。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 激光 间接 加热 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用激光的间接加热方法，其特征在于，包括：/n第一步骤，以相邻的方式配置含有金属的第一物质结构体和含有矿物质的第二物质结构体；以及/n第二步骤，通过向所述第一物质结构体照射钇铝石榴石激光、二极管激光或CO2激光来直接加热所述第一物质结构体，从而间接加热与所述第一物质结构体相邻的所述第二物质结构体。/n
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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