[发明专利]氧化物中的正弦形状电容器架构在审
| 申请号： | 201880022206.0 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN110462823A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 理查德·T·舒尔茨 | 申请（专利权）人： | 超威半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L27/08;H01L49/02 |
| 代理公司： | 31263 上海胜康律师事务所 | 代理人： | 李献忠;张静<国际申请>=PCT/US2 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种用于制造金属绝缘体金属电容器同时管理半导体加工成品率并增大每面积电容的系统和方法。一种半导体器件制造工艺将氧化物层设置在金属层的顶部上。在所述氧化物层的顶部上形成光致抗蚀剂层并以重复间隔进行蚀刻。使用多种光刻技术中的一种来更改所述间隔之间的距离。所述工艺将沟槽蚀刻到所述氧化物层的不受所述光致抗蚀剂层保护的区域中，并且剥离所述光致抗蚀剂层。所述沟槽的顶角和底角是圆的。所述工艺将底部金属、电介质和顶部金属沉积在所述氧化物层上具有所述沟槽的区域和没有所述沟槽的区域两者上。所述工艺完成所述金属绝缘体金属电容器，其中金属节点接触顶板和底板中的每一者。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物层 光致抗蚀剂层 金属绝缘体金属电容器 电介质 半导体器件制造 底板 底角 蚀刻 管理半导体 沟槽蚀刻 光刻技术 金属沉积 金属节点 面积电容 重复间隔 成品率 金属层 顶角 剥离 金属 加工 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件制造工艺，所述半导体器件制造工艺包括：/n在第一金属层的顶部上形成氧化物层；/n在所述氧化物层的顶部上形成光致抗蚀剂层；/n在多个大致等间隔的位置处蚀刻所述光致抗蚀剂层；/n将沟槽蚀刻到不受所述光致抗蚀剂层保护的所述氧化物层中，其中所述沟槽出现在所述多个大致等间隔的位置处；/n剥离所述光致抗蚀剂层；以及/n将包括底部金属层、介质层和顶部金属层的层组合沉积在所述沟槽中，以形成具有振荡模式的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器。/n
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