[发明专利]干蚀刻方法或干式清洗方法在审
| 申请号： | 201880021009.7 | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN110462790A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 高桥至直;深江功也;加藤惟人 | 申请（专利权）人： | 关东电化工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;C23C16/44;H01L21/205;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘新宇;李茂家<国际申请>=PCT/JP |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供将多晶硅(Poly‑Si)、单晶硅(单晶Si)、非晶硅(a‑Si)这些以Si作为主要成分的膜选择性地蚀刻的方法。另外提供不会对装置内部造成损伤地将堆积、附着于化学气相沉积(CVD)装置等进行成膜的装置的试样室内的以Si作为主要成分的堆积物、附着物去除、清洗的方法。将单氟卤间化合物气体(XF、此处X为Cl、Br、I中的任意一种)和一氧化氮(NO)同时导入到进行蚀刻或成膜的装置内部，通过热激发，由此可以边降低SiN、SiO2的蚀刻速率边将Poly‑Si、单晶Si、a‑Si等以Si作为主要成分的膜选择性地且高速地蚀刻。另外，能够不会对装置内部造成损伤地将堆积、附着于CVD装置等进行成膜的装置的内部的以Si作为主要成分的堆积物、附着物去除、清洗。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 成膜 附着物去除 堆积物 单晶 附着 堆积 清洗 损伤 化学气相沉积 卤间化合物 单晶硅 多晶硅 非晶硅 热激发 氧化氮 单氟 室内 | ||
【主权项】：
1.一种干蚀刻方法，其特征在于，将XF所示的单氟卤间化合物气体和一氧化氮(NO)同时导入到蚀刻装置的反应室内部，通过热而诱发蚀刻对象与XF及NO的反应，其中，X为Cl、Br、I中的任意一种卤素元素。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
