[发明专利]针对极紫外光源的光脉冲生成在审
| 申请号： | 201880020488.0 | 申请日： | 2018-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN110476110A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | R·W·帕里;C·J·莱本伯格 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/11 | 分类号： | G02F1/11;G02F1/33;G02F1/135 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 张宁<国际申请>=PCT/US2018/ |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 可以通过以下方法形成针对极紫外(EUV)光源的光脉冲：利用具有第一波长的第一光束照射调制系统的半导体材料来；在持续时间内向半导体材料施加电压，所施加的电压足以改变半导体材料的折射率，使得传递通过半导体材料、具有第二波长的光束的偏振状态被修改为传递通过调制系统的至少一个基于偏振的光学元件；以及在持续时间期间，通过使得具有第二波长的第二光束传递通过半导体材料来形成光脉冲。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料 波长 调制系统 光脉冲 持续时间期间 光束传递 光束照射 光学元件 偏振状态 施加电压 折射率 传递 偏振 光源 施加 | ||
【主权项】：
1.一种形成针对极紫外(EUV)光源的光脉冲的方法，所述方法包括：/n利用具有第一波长的第一光束照射调制系统的半导体材料；/n在持续时间内，向所述半导体材料施加电压，所施加的电压足以改变所述半导体材料的折射率，使得传递通过所述半导体材料的、具有第二波长的光束的偏振状态被修改以传递通过所述调制系统的至少一个基于偏振的光学元件；以及/n通过在所述持续时间期间，使得具有所述第二波长的第二光束传递通过所述半导体材料来形成光脉冲，其中：/n所形成的光脉冲包括第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分在时间上连续，所述第一部分发生在所述第二部分之前，并且/n利用所述第一光束照射所述调制系统的所述半导体材料改变了所形成的光脉冲的所述第一部分的一个或多个特性。/n
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