[发明专利]沉积含硅薄膜的含双(氨基甲硅烷基)烷基胺化合物的组合物及使用其制造含硅薄膜的方法有效

专利信息
申请号: 201880019422.X 申请日: 2018-03-28
公开(公告)号: CN110431204B 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 金成基;朴廷主;朴重进;张世珍;杨炳日;李相道;李三东;李相益;金铭云 申请(专利权)人: DNF有限公司
主分类号: C09D183/16 分类号: C09D183/16;C23C16/24;C23C16/40;C23C16/34;C23C16/36;C23C16/30;C23C16/50;C09D4/00;H01L21/02
代理公司: 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 代理人: 金相允;刘明
地址: 韩国大*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供了用于沉积含硅薄膜的含有双(氨基甲硅烷基)烷基胺化合物的组合物以及使用其制造含硅薄膜的方法,且更具体地,提供了用于沉积含硅薄膜的含有能够有用地用作含硅薄膜的前体的双(氨基甲硅烷基)烷基胺化合物的组合物,以及使用该组合物制造含硅薄膜的方法。
搜索关键词: 沉积 薄膜 氨基 硅烷 烷基 化合物 组合 使用 制造 方法
【主权项】:
1.一种用于沉积含硅薄膜的组合物,所述组合物包含由以下化学式1表示的双(氨基甲硅烷基)烷基胺化合物:[化学式1]在化学式1中,R是C1‑C7烷基或C2‑C7烯基;R1至R4各自独立地为氢、C1‑C7烷基或C2‑C7烯基,或R1和R2以及R3和R4各自独立地相互连接形成环;以及R5至R8各自独立地为氢、卤素、C1‑C7烷基或C2‑C7烯基。
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