[发明专利]基片处理装置和基片处理方法有效
| 申请号： | 201880019119.X | 申请日： | 2018-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN110462792B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 五师源太郎;江头佳祐;束野宪人;丸本洋 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的基片处理装置(1)包括干燥处理部(17)、排出通路(L2)、获取部(75)和检测部(19C)。干燥处理部(17)使表面被液体润湿了的状态的基片与超临界流体接触，将液体置换为超临界流体来进行基片的干燥处理。排出通路(L2)设置在干燥处理部(17)，用于从干燥处理部(17)排出流体。获取部(75)设置在排出通路(L2)，获取从干燥处理部(17)排出的流体的光学信息。检测部(19C)基于由获取部(75)获取的光学信息来检测干燥处理部(17)内有无液体。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：/n干燥处理部，其使表面被液体润湿了的状态的基片与超临界流体接触，将所述液体置换为所述超临界流体来进行所述基片的干燥处理；/n排出通路，其设置在所述干燥处理部，用于从所述干燥处理部排出流体；/n获取部，其设置在所述排出通路，获取从所述干燥处理部排出的所述流体的光学信息；和/n检测部，其基于由所述获取部获取的所述光学信息来检测所述干燥处理部内有无所述液体。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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