[发明专利]在氧化硅存在下硅表面上氧化硅或氮化硅的选择性生长

摘要

本文提供了用于在硅或金属表面上选择性地沉积对氧化硅或氮化硅材料有选择性的含硅介电材料或含金属介电材料的方法和装置。方法涉及将衬底暴露于可与不期望沉积的氧化硅或氮化硅材料反应的酰氯，以形成阻止在氧化硅或氮化硅材料上沉积的酮结构。在沉积所期望的含硅介电材料或含金属的介电材料之前，进行酰氯的暴露。

主权项

1.一种用于选择性地在衬底的暴露的第一表面上沉积含硅介电材料的方法，该方法包括：提供具有所述暴露的第一表面和暴露的第二表面的所述衬底，所述暴露的第一表面具有选自由多晶硅、非晶硅、金属和具有单个仲胺封端基团的氮化硅组成的群组中的材料，并且所述暴露的第二表面包含含硅材料，所述含硅材料具有选自羟基和伯胺的表面封端的基团；在沉积所述含硅介电材料之前，将所述衬底暴露于与所述暴露的第二表面选择性反应的酰氯，以在所述暴露的第二表面上形成保护基团，所述酰氯具有以下化学结构其中R₁是氢或烷基；并且执行一个或多个热原子层沉积循环以选择性地在所述暴露的第一表面上沉积所述含硅介电材料，每个循环包括：将所述衬底暴露于被选择以吸附到所述衬底的所述暴露的第一表面上的含硅前体，以及将所述衬底暴露于第二反应物以选择性地在所述衬底的所述暴露的第一表面上形成所述含硅介电材料。