[发明专利]用于允许通过振幅调制增强离子能量的等离子体处理腔室的离子能量分布操纵的方法和设备在审
| 申请号： | 201880015461.2 | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN110383417A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | W·李;K·拉马斯瓦米;A·阿加沃尔;王海涛 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;张鑫 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文考虑用于增强离子能量的方法和设备。在一个实施例中，方法和装置包括控制器、具有经配置成处理晶片的对称等离子体源的工艺腔室、耦合至工艺腔室以产生等离子体密度的一个或多个特高频(VHF)源以及两个或更多个频率发生器，所述两个或更多个频率发生器相对于耦合至工艺腔室的底部电极的一个或多个VHF源产生低频，两个或更多个低频发生器经配置成耗散等离子体鞘中的能量，其中控制器控制一个或多个VHF源产生VHF信号且控制两个或更多个低频源产生两个或更多个低频信号。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺腔室 离子能量 方法和设备 频率发生器 耦合 等离子体处理腔室 等离子体 等离子体鞘 等离子体源 低频发生器 方法和装置 控制器控制 处理晶片 低频信号 底部电极 振幅调制 控制器 低频源 特高频 耗散 配置 对称 | ||
【主权项】：
1.一种用于等离子体处理的设备，包括：控制器；工艺腔室，所述工艺腔室具有配置成处理晶片的对称等离子体源；一个或多个特高频(VHF)源，所述一个或多个特高频(VHF)源耦合至所述工艺腔室以产生等离子体密度；以及两个或更多个低频发生器，所述两个或更多个低频发生器相对于耦合至所述工艺腔室的底部电极的所述一个或多个VHF源产生低频，所述两个或更多个低频发生器经配置成耗散所述底部电极上方的等离子体鞘中的能量，其中所述控制器控制所述一个或多个VHF源以产生VHF信号并控制所述两个或更多个低频发生器以产生两个或更多个低频信号。
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