[发明专利]表面发射激光器和制造表面发射激光器的方法在审
| 申请号： | 201880013880.2 | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN110337764A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 野田进;田中良典;M·德佐伊萨;园田纯一;小泉朋朗;江本渓 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人京都大学;斯坦雷电气株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/18 | 分类号： | H01S5/18;C23C16/34;C30B29/38;H01L21/205;H01S5/12;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 肖轶;庞东成 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的通过MOVPE法制造由III族氮化物半导体制成的表面发射激光器的方法包括：(a)在基板上生长第一导电型的第一披覆层的步骤；(b)在所述第一披覆层上生长所述第一导电型的第一光导层的步骤；(c)在所述第一光导层中通过蚀刻在与所述第一光导层平行的面中形成具有二维周期性的空孔的步骤；(d)供应含有III族材料和氮源的气体并进行生长以便在所述空孔的开口上方形成具有预定面方向的晶面的凹部，从而闭合所述空孔的开口的步骤；和(e)在所述空孔的所述开口已闭合后，通过质量传输使所述凹部平坦化的步骤，其中在已进行了所述平坦化步骤后，所述空孔的至少一个侧表面是{10‑10}晶面。 | ||
| 搜索关键词： | 空孔 表面发射激光器 光导层 闭合 开口 导电型 披覆层 平坦化 凹部 生长 蚀刻 二维周期性 质量传输 侧表面 预定面 氮源 基板 晶面 制造 平行 | ||
【主权项】：
1.一种通过MOVPE法制造由III族氮化物半导体制成的表面发射激光器的方法，其包括：(a)在基板上生长第一导电型的第一披覆层的步骤；(b)在所述第一披覆层上生长所述第一导电型的第一光导层的步骤；(c)在所述第一光导层中，通过蚀刻在与所述第一光导层平行的面中形成具有二维周期性的空孔的步骤；(d)供应含有III族材料和氮源的气体并进行生长以便在所述空孔的开口上方形成具有预定面方向的晶面的凹部，从而闭合所述空孔的开口的步骤；和(e)在所述空孔的所述开口已闭合后，通过质量传输使所述凹部平坦化的步骤，其中，在已进行了所述平坦化步骤后，所述空孔的至少一个侧表面是{10‑10}晶面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国立大学法人京都大学;斯坦雷电气株式会社，未经国立大学法人京都大学;斯坦雷电气株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880013880.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
