[发明专利]碳化硅衬底和用于生长SiC单晶锭的方法在审
| 申请号： | 201880013705.3 | 申请日： | 2018-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN110382750A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·沃格尔;伯恩哈德·埃克;拉尔夫·穆勒;马提亚斯·施托克迈尔;阿恩德-迪特里希·韦伯 | 申请（专利权）人： | 硅晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 石磊;潘雪 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有改进的机械特性和电学特性的碳化硅(SiC)衬底。此外，本发明涉及用于在物理气相传输生长系统中生产块状SiC晶体的方法。碳化硅衬底包括构成所述衬底(100)的总表面积的至少30％的内部区域(102)，以及径向围绕所述内部区域(102)的环形外周区域(104)，其中，内部区域(102)中的掺杂剂的平均浓度与外周区域(104)中的该掺杂剂的平均浓度相差至少1×1018cm‑3。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 内部区域 碳化硅 外周区域 掺杂剂 物理气相传输 电学特性 径向围绕 生长系统 单晶锭 晶体的 生长 改进 生产 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅衬底，包括：内部区域(102)，所述内部区域(102)构成所述衬底(100)的总表面积的至少30％，环形外周区域(104)，所述环形外周区域(104)径向围绕所述内部区域(102)，其中，所述内部区域(102)中的掺杂剂的平均浓度与所述外周区域(104)中的该掺杂剂的平均浓度相差至少1×1018cm‑3。
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