[发明专利]忆阻器电极及其制备方法、忆阻器和阻变式存储器在审
| 申请号： | 201880013254.3 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN111279499A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 姚国峰;沈健 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 | 代理人： | 徐勇勇;毛威 |
| 地址： | 518045 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种忆阻器电极及其制备方法、忆阻器和阻变式存储器(RRAM)。该方法，包括：a.在基底上沉积金属硼化物薄膜；b.对金属硼化物薄膜进行退火处理；c.在金属硼化物薄膜表面形成一光刻胶层，对光刻胶层进行光刻以形成与预定电极图案对应的光刻图案；d.以光刻图案为掩膜，采用离子束对金属硼化物薄膜进行刻蚀，以将金属硼化物薄膜形成所述预定的电极图案。本发明利用金属硼化物制备的忆阻器电极完全兼容CMOS制造工艺，并且可以改善包括该忆阻器的RRAM的产品性能。 | ||
| 搜索关键词： | 忆阻器 电极 及其 制备 方法 阻变式 存储器 | ||
【主权项】：
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