[发明专利]包括拓扑绝缘体材料的电互连有效

专利信息
申请号: 201880011361.2 申请日: 2018-02-12
公开(公告)号: CN110291630B 公开(公告)日: 2021-09-07
发明(设计)人: C·保利 申请(专利权)人: IEE国际电子工程股份公司
主分类号: H01L23/532 分类号: H01L23/532;H01L21/768
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 刘炳胜
地址: 卢森堡埃*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本公开涉及电互连(1)。为了在小尺寸结构中和高频率情况下提供用于有效地传导电流的手段,本公开提供一种具有沟道部分(50)的电互连,该沟道部分(50)包括至少一个沟道层(10),该沟道层由弱拓扑绝缘体材料制成并具有顶表面(11),该顶表面具有从电互连(1)的第一端(2)延伸到第二端(4)的多个凹槽(12),其中顶表面(11)和每个凹槽(12)的底表面(12.2)是绝缘的,而每个凹槽(12)的每个侧表面(12.1)包括具有一对拓扑保护的一维电子沟道(15)的导电区(14)。该电互连包括拓扑绝缘体材料。
搜索关键词: 包括 拓扑 绝缘体 材料 互连
【主权项】:
1.一种具有沟道部分(50)的电互连(1),所述沟道部分(50)包括由弱拓扑绝缘体材料或任何其他三维拓扑绝缘体材料制成的至少一个沟道层(10),所述弱拓扑绝缘体材料或任何其他三维拓扑绝缘体材料呈现拓扑保护的一维电子沟道,并且所述至少一个沟道层(10)包括具有从所述电互连(1)的第一端子(2)延伸到第二端子(4)的多个凹槽(12)的顶表面(11),其中,所述顶表面(11)和每个凹槽(12)的底表面(12.2)都是绝缘的,而每个凹槽(12)的每个侧表面(12.1)包括具有一对拓扑保护的一维电子沟道(15)的导电区(14)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于IEE国际电子工程股份公司,未经IEE国际电子工程股份公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201880011361.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top