[发明专利]用于硅光子学的光纤在审
| 申请号： | 201880010726.X | 申请日： | 2018-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN110268295A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | D·C·伯克宾德;李明军;D·R·鲍尔斯;P·坦登 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/26 | 分类号： | G02B6/26;G02B6/255;G02B6/30;G02B6/42 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张璐;项丹 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于将光学信号有效地耦合到光子装置的光纤。所述光纤包括掺Cl的锥形芯体区域，其具有变化的外直径和变化的最大芯体折射率，以在对光子装置关注的波长下提供改进的耦合。所述光子装置例如可以是硅光子装置，其工作波长在1310nm处或附近，或者在1550nm处或附近。 | ||
| 搜索关键词： | 光子装置 光纤 芯体折射率 工作波长 光学信号 锥形芯体 耦合 光子学 有效地 耦合到 波长 改进 | ||
【主权项】：
1.一种光纤，其包含：长度L，第一端面和第二端面，以及在光纤的第一端面处的MFD，该MFD与光纤的另外区域处的MFD不同，所述光纤还包括：(I)基于掺Cl二氧化硅的芯体，其包括：(a)第一掺Cl芯体区域，该区域具有最大折射率Δ0，使得0.05％≤Δ0≤0.6％(相对于未掺杂的二氧化硅)，以及芯体外直径D0，其中5微米≤D0≤12微米，所述第一掺Cl芯体区域具有最大Cl浓度[Cl]，其中0.5重量％≤[Cl]≤5重量％；和(b)掺Cl锥形芯体区域，其位于第一掺Cl芯体区域和第一光纤端面附近，所述掺Cl锥形芯体区域具有长度L2，其中0.05mm≤L2≤10mm，以及最大芯体折射率Δc，其沿着锥形芯体区域的长度减小，锥形区域具有最大直径D最大和沿着长度L2变化的外直径，使得：(i)D最大≥D0+3微米；(ii)8微米≤D最大≤70微米；和(II)基于二氧化硅的包层，其包围基于掺Cl二氧化硅的芯体。
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