[发明专利]用于化学气相沉积反应器的处理室及其中执行的热化方法

摘要

一种用于化学气相沉积(CVD)反应器的处理室(C)，包括：系统(3)，该系统在限定处于局部真空下的封腔(E)的主体(B)内，该系统用于喷射反应性物质，以便沉积在被放置于支撑元件(5)上的基板(8)上；和热控制系统(2)，该热控制系统用于调节喷射系统(3)的温度或使喷射系统(3)的温度保持基本恒定，该热控制系统(2)具有与喷射系统(3)的界面区域(ZI)。处理室(C)在界面区域(ZI)中还包括至少一个热传递区域(ZT)，该热传递区域(i)通过将压力和污染物质的扩散隔离的隔离屏障而与处于局部真空下的封腔(E)隔离，并且(ii)填充有热界面材料(10)。应用于执行CVD沉积，特别是脉冲CVD沉积。

主权项

1.一种用于化学气相沉积(CVD)反应器(R)的处理室(C)，包括：系统(3)，所述系统(3)在限定局部真空封腔(E)的主体(B)内，所述系统(3)用于喷射反应性物质以便沉积在被放置于支撑元件(5)上的基板(8)上；和热控制系统(2)，所述热控制系统(2)用于控制所述喷射系统(3)的温度或者使所述喷射系统(3)的温度维持基本恒定，所述热控制系统(2)具有与所述喷射系统(3)的界面区域(ZI)，其特征在于，所述处理室还在所述界面区域(ZI)中包括至少一个热传递区域(ZT)，所述热传递区域(i)通过将压力和污染物质的扩散隔离的隔离屏障而与处于局部真空下的所述封腔(E)隔离，并且(ii)填充有热界面材料(10)。