[发明专利]铁磁性多层膜、磁阻效应元件以及制造铁磁性多层膜的方法有效
| 申请号： | 201880001991.1 | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN109196675B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木智生;田中美知 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L21/8239;H01L27/105;H01L29/82;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;陈明霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的铁磁性多层膜具备：第一磁化固定层、第一中间层、第二中间层、磁耦合层以及第二磁化固定层。第一磁化固定层和第二磁化固定层通过经由第一中间层、第二中间层以及磁耦合层的交换耦合而反铁磁性耦合；磁耦合层的主元素为Ru、Rh或Ir，第一中间层的主元素与磁耦合层的主元素相同，第二中间层的主元素与磁耦合层的主元素不同，第一中间层的厚度为第一中间层的主元素的原子半径的1.5倍以上且3.2倍以下，并且第二中间层的厚度为第二中间层的主元素的原子半径的1.5倍以下。 | ||
| 搜索关键词： | 铁磁性 多层 磁阻 效应 元件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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