[发明专利]3D存储器件和用于形成3D存储器件的方法

摘要

一种用于形成3D存储器件的方法包括在衬底上的接触区域中形成交替的电介质堆叠层，形成具有各种深度的在交替的电介质堆叠层中垂直延伸的多个接触孔，形成牺牲填充层以填充接触孔，形成在接触区域中穿透交替的电介质堆叠层的多个虚设沟道孔，用电介质材料填充虚设沟道孔以形成支撑物，以及用导电层替换交替的电介质堆叠层的牺牲层和牺牲填充层，从而形成多条栅极线和多个触点。

主权项

1.一种用于形成3D存储器件的方法，包括：在衬底上的接触区域中形成交替的电介质堆叠层，所述交替的电介质堆叠层包括在垂直于所述衬底的表面的垂直方向上交替堆叠的多个电介质层和多个牺牲层；形成具有各种深度的在所述交替的电介质堆叠层中垂直延伸的多个接触孔，所述多个接触孔的深度从所述接触区域的第一边界朝向所述接触区域的第二边界逐渐增加；形成牺牲填充层以填充所述接触孔；形成在所述接触区域中穿透所述交替的电介质堆叠层的多个虚设沟道孔；用电介质材料填充所述虚设沟道孔以形成支撑物；以及用导电层替换所述牺牲层和所述牺牲填充层，从而形成多条栅极线和多个触点。