[发明专利]三维存储器件的嵌入式焊盘结构及其制造方法

摘要

本文公开了3D存储器件及其制造方法的实施例。所述器件包括阵列器件半导体结构，阵列器件半导体结构包括：设置于交替导体/电介质堆叠层上并包括第一互连结构的阵列互连层。所述器件还包括外围器件半导体结构，外围器件半导体结构包括设置于外围器件上并包括第二互连结构的外围互连层。所述器件还包括嵌入阵列器件半导体结构或外围互连层中的焊盘以及暴露焊盘的表面的焊盘开口。阵列互连层与外围互连层键合，并且焊盘通过第一互连结构或第二互连结构与外围器件电连接。

主权项

1.一种3D存储器件，包括：阵列器件半导体结构，包括：设置于半导体层上的交替导体/电介质堆叠层，以及设置于所述交替导体/电介质堆叠层上并包括至少一个第一互连结构的阵列互连层；外围器件半导体结构，包括：设置于衬底上的至少一个外围器件，以及设置于所述至少一个外围器件上并包括至少一个第二互连结构的外围互连层；嵌入所述阵列器件半导体结构或所述外围互连层中的至少一个焊盘；以及暴露所述至少一个焊盘的表面的焊盘开口；其中，所述阵列互连层与所述外围互连层键合，并且所述至少一个焊盘通过所述至少一个第一互连结构或所述至少一个第二互连结构与所述至少一个外围器件电连接。